rom是什么意思(ROM与RAM的主要区别)

rom是什么意思

)在计算期间被用作高速暂存记忆区。数据可以在RAM中存储、读取和用新的数据代替。当计算机在运行时RAM是可得到的。它包含了放置在计算机此刻所处理的问题处的信息。大多数RAM是“不稳定的”,这意味着当关闭计算机时信息将会丢失。

内的信息是硬接线的”(即,它是电子元件的一个物理组成部分),且不能被计算机改变(因此称为“只读”)。可变的ROM,称为

CDROMXACD-ROM扩充系统结构(=CD-ROMExtendedArchitecture)一种CD*格式。是因为产业界希望把CD-I的某些功能引入到专业市场而出现的。

(2)从改写这一角度上讲,写入信息后根本不能够改写的是掩模式只读存储器,也就是固定只读存储器;其次,可编程只读存储器(PROM)在用户自己一次性写入信息后,也什么都不能改变了;可擦写可编程只读存储器(EPROM)能够对所有信息进行全部擦除,但这种擦除是相当不便的;改写最方便的是电可改写可编程只读存储器(EAROM),所以这种只读存储器在家用电器的微控制系统中应用较多。

(2)只读存储器(ROM)比随机存储器(RAM)少一个功能,就是不能随时写入信息,但可以随时读出信息。所以,只读存储器(ROM)是只能读不能随时写入的存储器。

ROM与RAM的主要区别

(1)只读存储器(ROM)具有不挥发性(不易失性),即使只读存储器(ROM)的供电电源被切断,所存储的信息也不会丢失,具有相对稳定地保存信息的特点,这一点与随机存储器(RAM)完全不同。

由于电荷的存在,使得存储器处于低阈值电压状态(高导状态),称之为1。当在栅极和基片之间加上较大的负电压(−25~−30V)时,陷阱中的电荷被驱赶,通过

(3)只读存储器(ROM)内部的信息可以通过专门的电路写入,或通过专门的方式写入,并不是什么情况下都不能写入。

从图中可看出,每一个基本存储单元电路中由两只管子VT2和VT3构成,其中VT2是普通MOS管,VT3是FAMOS管,这两只管子处于串联状态,FAMOS管相当于一个电子开关。电路中,VT1是负载管。

(2)FAMOS管存储信息原理。当漏、源极均为零电位时,浮动栅上没有电荷,漏极与源极之间没有导电沟道的形成。若在漏极与源极之间加上比较大的负电压(如−30V),则可使N基片和漏极之间的PN结产生雪崩击穿,耗尽层中的电子在强电场中以很快的速度由P+区向外射出,由于它们的速度很快,就会有一部分电子穿透比较薄的氧化层到达浮动栅,并存储在栅极上,这一过程称为雪崩注入。

rom是内存还是外存

(2)基本存储单元。EAROM的基本存储单元是一种通过加电就可以改变阈值电压的P沟道MOS器件,图8-119所示是这种器件结构示意图,称为MNOS存储单元结构。

在MNOS型EAROM中的每个存储单元,只用一个MOS管,因为这种器件有栅极,管子本身通过栅极可以控制,这样不仅简化了工艺,而且提高了集成度。

(4)只读存储器虽然能够存储信息,并有存储器之称,但是它不像随机存储器那样可以存储任意信息,它属于组合逻辑网络。但是MOS管只读存储器与组合逻辑电路在结构上又有明显的不同之处,它是由固定的逻辑1或逻辑0排成的矩阵结构,各种译码器电路就属于只读存储器。

从图中可看出,FAMOS管结构与普通的P沟道增强型MOS管基本相似,在N基片生长出两个高浓度的P区,分别作为漏极(D)和源极(S),所不同的是在D和S之间有一个由多晶硅做成的栅极埋在SiO2层中,栅极与四周电气绝缘起来,这样的栅极称为浮动栅。